Если вакуумный ультрафиолетовый лазер может быть сфокусирован в небольшое пятно луча, его можно использовать для изучения структуры мезоскопических материалов и создания нанообъектов с большей точностью.
Для достижения этой цели китайские ученые изобрели 177-нанометровую лазерную систему VUV, которая может достигать субмикронного фокуса на больших фокусных расстояниях.
Результат исследования опубликован в" Light Science& Приложения" (LightScience& Applications) показывает, что исследователи разработали систему лазерного сканирующего фотоэмиссионного микроскопа с длиной волны 177 нмVUV, в которой используется полосковая пластина без сферической аберрации с большим фокусным расстоянием (—45 мм). На дне находится фокусное пятно<. ; 1 мкм.
По сравнению с лазерным источником DUV с пространственным разрешением, используемым в настоящее время для ARPES, источник лазера VUV на 177 нм может помочь измерениям ARPES для покрытия большего импульсного пространства и имеет лучшее разрешение по энергии.
Лазерная система VUV имеет сверхдлинное фокусное расстояние (-45 мм), субмикронное пространственное разрешение (-760 нм), сверхвысокое энергетическое разрешение (-0,3 мэВ) и сверхвысокую яркость (-355 МВт · м-2). Он может быть непосредственно применен к приборам для научных исследований, таким как фотоэлектрический эмиссионный электронный микроскоп (PEEM), фотоэлектронный спектрометр с угловым разрешением (ARPES), глубокий ультрафиолетовый лазерный рамановский спектрометр.
В настоящее время система выявила тонкие характеристики энергетических зон различных новых квантовых материалов, таких как квазиодномерный топологический сверхпроводник TaSe3, семейство магнитных топологических изоляторов (MnBi2Te4) (Bi2Te3) m и так далее.
